07. 반도체 공정 이해

이정형 TL / 김광옥 TL / 곽노열 TL / 노재선 TL / 최백일 TL

반도체 Chip 하나를 만들기 위해서는 오랜 시간과 수많은 복잡한 과정이 반복됩니다.

반도체를 만들기 위해 필수적으로 진행되는 공정들(Photo, Etch, Diffusion, Thinfilm, C&C 등)에 대해

자세하게 배우고 각 공정 진행 시 일어나는 현상에 대한 원리와 이론에 대하여 이해할 수 있습니다.

1강. 반도체 공정 Overview (Lv.1)

1) Photo, Etch, Cleaning, CMP 기술

2) 반도체 제조에 사용되는 물질 (Diffusion/ThinFilm 기술)

2강. Photo 공정 이해

2-1강. Photo 공정의 Mission (Lv.1)

1) 반도체 개발 업무와 Photo 공정 - 설계, 소자, 공정 업무. 그리고 Photo 공정 - Lithography?

2) 반도체 구조 (적층 구조) - 반도체 제조와 Photo 공정의 역할 , 높은 건축물 vs. 반도체

3) Photo 공정의 역할과 Mission - 정확하게, 균일하게, 제자리에, 더 작게

4) Photo 공정 이해 하기 - 사진 vs. Photo 공정 기술 - Photo 공정의 Process flow

2-2강. Rayleigh Equation & RET (Lv.2)

1) Rayleigh Equation - Golden rule of Lithographic scale

2) 파동으로서의 빛의 성질 (회절, 간섭)

3) Imaging - 노광 장비 內 빛의 경로, 빛의 회절과 Lens Size - Focus 와 DoF (Depth of Focus) - Resolution 와 DoF(Depth of Focus)

4) RET (Resolution Enhancement Tech.) - Photo 엔지니어들의 고민 - 파장의 감소, NA 증가와 immersion, OAI, OPC, LELE와 SADP

2-3강. EUV Lithography (Lv.3)

1) ArF immersion 노광 기술의 한계 해상도 - Rayleigh Equation - ArF (193nm) 파장, immersion 의 한계 해상도

2) Basic Properties of EUV - Further Lithography (Extreme UV) - Basic Properties of EUV (Extreme UV)

3) EUV 노광 장비의 구조 - EUV Mirror Optics & Mask (reflection) - EUV 노광 장비의 구조

4) EUV Shot Noise와 EUV 감광제 - Shot (Stochastic) Noise - ArF 감광제와 EUV 감광제

5) EUV Patterning

3강. Etch 공정 이해

3-1강. Etch 기본 Concept (Lv.1)

1) Etch 공정 정의 - Etch Process Classification

2) Etch 공정 종류 - Etch 공정이란? - Etch 종류 (Wet vs. Dry) - Wet & Dry Etch 비교

3) Terminology (Etch 용어) - Etch Rate - Selectivity - CD / DICD, FICD, CD Bias - Uniformity

4) Etch Mechanism - Physical & Chemical Etch - Etching Mechanism - Etching Mechanism (Chemical) - Etching Mechanism (Physical) - Etching Mechanism (Energetic Ion Enhanced) - Etching Gas - Solid & Etchant

3-2강. Plasma Etch (Lv.2)

1) Plasma 정의 - 플라즈마 (Plasma)?

2) Plasma 특징 - Plasma 종류 - Pioneers of Plasma - Plasma 관련 History - Plasma 응용 - Plasma 상태 - 물질의 4번째 상태 - Typical Species in the Plasma - Generation Mechanism (증식 모델) - Electron Reactions - Generation Mechanism (DC Glow discharge) - 파장 (Wavelength)

3) Plasma Etch 이유

4) Plasma Type - Classification of Plasma - Capacitively Coupled Plasma (CCP) - Inductively Coupled Plasma (ICP) - CCP vs. ICP - Ashing 장비 (PR Strip)

3-3강. Etch Issue & 개선 방향 (Lv.3)

1) Etch Failure - Etch Failure - Loading Effect - Micro Loading - ARDE (Aspect Ratio Dependent Etch)

2) HARC Issue - HARC (High Aspect Ratio Contact) - HARC Issue

3) Pulse Plasma

4) Etch 기술 개발 방향 - SPT - EPD (End Point Detection) - H/W Modify (for Uniformity Control) - Etch 기술 개발 방향

4강. Diffusion 공정 이해

4-1강. Furnace 공정 (Lv.2)

1) Diffusion Process - Semiconductor Process - Diffusion Process - SK hynix Diffusion Area? - Silicon과 Silicon Structure Density?

2) SiO2 Oxidation Process - Wet/Dry Oxidation

3) LPCVD Process - LPCVD Mechanism과 Diffusion 대표 증착 Layer

4) ALD Process - ALD Mechanism과 대표 사례

4-2강. Ion Implantation 공정 (Lv.2)

1) Ion Implantation Process - Ion Implantation의 정의 - Semiconductor Process - 반도체 제조공정에서의 Ion Implantation

2) Ion Implantation Hardware Schematics - Ion Implantation 특징과 Hardware 구성 - Ion Implantation Hardware Schematics - Current Ion Implantation Coverage

3) Ion Implantation Physics - Ion Implantation Physics(1): Rp, ΔRp - Ion Implantation Physics(2): Channeling - Ion Implantation Physics(3): Ion Energy Loss Mechanism

4) Ion Implantation Anneal - Damage & Anneal - Furnace Anneal vs. RTA - 최신 Rapid Anneal 경향

5강. Thinfilm 공정 이해

5-1강. PVD 공정 (Lv.2)

1) PVD 공정

2) 금속박막의 요구사항

3) Physical Properties of Metals and Silicides - 금속 및 실리사이드의 물리적 특성

4) Metal 물질에 따른 증착 방법 분류 기준 - 증착 방법 분류

5) PVD 주요 특성의 이해 - Sheet Resistance - Contact Silicide 특성 (Ti, Co, Ni) - EM현상 - Damascene 구조

5-2강. CVD 공정 (1) (Lv.2)

1) CVD 공정 - CVD공정 소개 - CVD공정 정의 - CVD 공정 분류 - 절연막 종류

2) CVD공정의 역할 및 이해 - 절연막 역할 - 굴절률 - Stress - 열팽창계수 - Gap fill 특성 - Step Coverage 특성 - HARD MASK 역할 - Low-k 절연막

5-3강. CVD 공정 (2) (Lv.3)

1) CVD 주요 공정 소개 - PE CVD USG공정 - Thermal CVD BPSG공정 - PE CVD ARC공정 - HDP공정 - PE Nitride공정 - NDC공정 - ACL Hard Mask공정 - Low-k공정

6강. C&C 공정 이해

6-1강. Cleaning 공정 (1) (Lv.1)

1) Cleaning 이란? - Cleaning 목적은?

2) 오염원의 종류 - 오염원의 종류와 effect

3) 오염원에 따른 Issue - 실제 제조공정에서의 이슈 사례

6-2강. Cleaning 공정 (2) (Lv.3)

1) Cleaning 의 위치 및 역할 - Cleaning 위치에 따른 분류 및 역할

2) Cleaning 방법에 따른 분류 - Cleaning 사용 물질에 따른 분류

3) Cleaning 의 종류 및 역할 - Standard RCA cleaning 소개 - Chemical 종류별 효과

6-3강. Cleaning 장비 (Lv.2)

1) Cleaning 장비 분류 - 진행 방식에 따른 분류

2) Batch Cleaning Process 장비

3) Single Cleaning Process 장비

4) Dry Process

6-4강. CMP 공정 (Lv.2)

1) CMP 공정이란?

2) CMP 공정의 필요성

3) CMP 장비 구성

4) CMP Mechanism 및 적용 공정 - Slurry 구성과 Mechanism - CMP 소모재

07. 반도체 공정 이해

간단하게 확인할 수 있는 첫 번째 강의의 샘플 (5분) 영상입니다.

반도체 공정, 장세억 교수 외 5명

강의 Summary

강의 목차