간단하게 확인할 수 있는 첫 번째 강의의 샘플 (5분) 영상입니다.
김기원 TL
DRAM TD
미래기술연구원 DRAM 선행 PI
1ynm(IBG Module), 1anm(SAC Module) Core TF
강의 Summary
DRAM(Dynamic Random Access Memory)는 RAM의 한 종류로
저장된 Data가 시간과 전원의 끊김에 따라 소멸되는 특징을 갖는 반도체 입니다.
이 강의에서는 DRAM의 구성 요소, 동작원리를 간단히 살펴보고
소자의 특성과 DRAM을 제작하는 과정인 Integration에 대해서 알 수 있습니다.
강의 목차
1강. DRAM Introduction (Lv.1)
1) DRAM 소개
- 메모리란 무엇이며, DRAM은 무엇인가?
- Computer Memory Hierarchy
- DRAM의 역사는?
2) DRAM의 성장
- DRAM의 성장과 Roadmap
- DRAM Technology와 그 한계는?
3) DRAM의 구성
- DRAM Chip Architecture
- DRAM Cell Structure
2강. DRAM 기본 동작 이해 (Lv.2)
1) DRAM 동작 Bias
- DRAM에서 사용되는 동작 전압은?
- 동작 전압의 종류
2) DRAM의 동작 이해
- DRAM의 기본 동작 원리
- DRAM의 Reading 동작
3) DRAM의 동작 이해 2
- △ V란?
- High △ V 를 얻기 위한 방법
3강. DRAM 주요 특성 이해 (Lv.3)
1) Cell Tr Characteristics
- Cell Transistor Requirements
- Cell Tr Scheme History
- Cell Tr Gate Engineering
2) Retention Operation
- Refresh 동작 개념
- Leakage Current in DRAM Cell
3) Cell Capacitance
- Cell Capacitor Requirements
- Cell Capacitor의 구조적 이슈
4) DRAM Resistance
- Resistance in Cell Tr.
- Resistance Extraction
4강. DRAM Process Integration (Lv.3)
1) DRAM 제작/평가 과정
- Wafer 투입에서부터 출하까지 과정
- DRAM Unit Process
- DRAM Test Process
2) DRAM Process Integration 과정
3) Process Integrator의 역할
- Resistance in Cell Tr.
- Resistance Extraction